در این مقاله، OnSemi از نسل جدید ماسفت کاربید سیلیکون 650 ولت برای شما علاقهمندان به الکترونیک خبر میدهد. ON Semiconductor طیف جدیدی از دستگاههای MOSFET کاربید سیلیکون (SiC) را برای کاربردهایی اعلام کرده است که قدرت، کارایی و قابلیت اطمینان بیشتری دارند.
با جایگزینی فناوریهای سوئیچ سیلیکون موجود با دستگاههای جدید SiC، طراحان میتوانند با ماسفت کاربید سیلیکون در برنامههایی مانند شارژرهای اتومبیل الکتریکی (EV)، مبدلهای خورشیدی، واحدهای منبع تغذیه سرور (PSU)، منبع تغذیه بدون وقفه (UPS) و مخابرات عملکرد بهتری داشته باشند.
ماسفت کاربید سیلیکون 650 ولت
در مقایسه با سیلیکون، MOSFET های SiC دارای 650 ولت، بر اساس یک ماده پهنای باند جدید ساخته شدهاند که در مقایسه با سیلیکون عملکرد برتر سوئیچینگ و حرارتهای بهبود یافته را فراهم میکند. این منجر به بهبود کارایی در سطح سیستم، افزایش چگالی توان، کاهش تداخل الکترومغناطیسی (EMI) و کاهش اندازه و وزن سیستم میشود.
نسل جدید MOSFET های SiC از یک طرح جدید سلول فعال همراه با فناوری پیشرفته ویفر نازک استفاده میکند که بهترین کیفیت کلاس Rsp (منطقه Rdson) را برای ولتاژ خرابی (شکست) 650 ولت فراهم میکند. NVBG015N065SC1 ، NTBG015N065SC1 ، NVH4L015N065SC1 و NTH4L015N065SC1 دارای کمترین Rdson (12 میلیآمپر) در بازار در بستههای D2PAK7L و To247 هستند.
nvbg015n065sc1
فناوری ماسفت کاربید سیلیکون همچنین با بهینهسازی عملکرد در کاربردهای خودرویی و صنعتی، درمورد رقم شایستگی اتلاف انرژی، بهینهسازی شده است. مقاومت داخلی دروازه (Rg) انعطافپذیری بیشتری را برای طراحان فراهم میکند و نیازی به کاهش سرعت مصنوعی دستگاهها با مقاومتهای دروازه خارجی ندارد. افزایش ولتاژ بالاتر و مقاومت اتصال کوتاه همگی به ناهمواری پیشرفته کمک میکنند تا قابلیت اطمینان بالاتر و طول عمر دستگاه افزایش یابد.
